안녕하세요 

교수님 

동영상 강의가 업무에 많은 도움이 되고 있습니다. 

귀중한 강의 정말 감사합니다. 

현재 업무 중 플라즈마 공정후 타겟(Sio2 표면) 이 친수성화 되어 후속공정에 많은 어려움이 있습니다.

플라즈마 공정시 사용되는 Gas 는 CF4,O2,N2로 구성하고 있으며,  ICP 방식의 플라즈마를 사용중에 있습니다. 

표면 친수성화를 약화 시킬 수 있는 방법이 있을까요 ?